SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix


72754.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.45 грн
6000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI6926ADQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: 0, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 0, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI6926ADQ-T1-GE3 за ціною від 27.31 грн до 81.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay 72754.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay 72754.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72754.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.89 грн
10+54.21 грн
100+42.15 грн
500+33.53 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Semiconductors 72754.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+72.52 грн
10+60.00 грн
100+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay 72754.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+73.40 грн
202+72.67 грн
263+55.73 грн
265+53.22 грн
500+43.53 грн
1000+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay 72754.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.77 грн
11+73.40 грн
25+72.67 грн
100+53.74 грн
250+49.28 грн
500+41.79 грн
1000+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 VISHAY VISHS82233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI6926ADQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.89 грн
10+54.21 грн
100+42.15 грн
500+33.53 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.52 грн
10+60.00 грн
100+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+73.40 грн
202+72.67 грн
263+55.73 грн
265+53.22 грн
500+43.53 грн
1000+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.77 грн
11+73.40 грн
25+72.67 грн
100+53.74 грн
250+49.28 грн
500+41.79 грн
1000+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 VISHS82233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI6926ADQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.