Продукція > VISHAY SILICONIX > SI6926ADQ-T1-GE3
SI6926ADQ-T1-GE3

SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

72754.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.10 грн
6000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI6926ADQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: 0, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 0, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI6926ADQ-T1-GE3 за ціною від 26.98 грн до 78.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay 72754.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay 72754.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72754.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.04 грн
10+53.55 грн
100+41.63 грн
500+33.12 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay 72754.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+70.87 грн
202+70.16 грн
263+53.80 грн
265+51.38 грн
500+42.03 грн
1000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay 72754.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.95 грн
11+70.87 грн
25+70.16 грн
100+51.88 грн
250+47.58 грн
500+40.35 грн
1000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Semiconductors 72754.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 VISHAY VISHS82233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI6926ADQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
SI6926ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
SI6926ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
SI6926ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.04 грн
10+53.55 грн
100+41.63 грн
500+33.12 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
SI6926ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+70.87 грн
202+70.16 грн
263+53.80 грн
265+51.38 грн
500+42.03 грн
1000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
SI6926ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.95 грн
11+70.87 грн
25+70.16 грн
100+51.88 грн
250+47.58 грн
500+40.35 грн
1000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
SI6926ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 VISHS82233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI6926ADQ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI6926ADQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.