SI6926ADQ-T1-GE3

SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix


72754.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.11 грн
6000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 830mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI6926ADQ-T1-GE3 за ціною від 26.99 грн до 68.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 72754.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.18 грн
10+55.58 грн
100+42.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72754.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.06 грн
10+53.56 грн
100+41.65 грн
500+33.13 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.