Si6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.28 грн |
| 6000+ | 21.24 грн |
| 9000+ | 19.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI6954ADQ-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції Si6954ADQ-T1-E3 за ціною від 23.63 грн до 66.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6954ADQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI6954ADQ-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A Verlustleistung, p-Kanal: 830mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 830mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
Si6954ADQ-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-TSSOP |
на замовлення 23845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
Si6954ADQ-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8 |
на замовлення 2946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| Si6954ADQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| Si6954ADQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
SI6954ADQ-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SI6954ADQ-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI6954ADQ-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| Si6954ADQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| Si6954ADQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |