Продукція > VISHAY SILICONIX > Si6954ADQ-T1-E3
Si6954ADQ-T1-E3

Si6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix

71130.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 830mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.68 грн
6000+22.93 грн
9000+22.01 грн
15000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI6954ADQ-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції Si6954ADQ-T1-E3 за ціною від 26.57 грн до 99.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
Si6954ADQ-T1-E3 Si6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71130.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 21145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.28 грн
100+39.89 грн
500+29.22 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 Si6954ADQ-T1-E3 Vishay Semiconductors 71130.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6954ADQ-T1-E3 SI6954ADQ-T1-E3 VISHAY VISHS39406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI6954ADQ-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 VISHAY 71130.pdf 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Si6954ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 21145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.41 грн
10+60.28 грн
100+39.89 грн
500+29.22 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Si6954ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6954ADQ-T1-E3 VISHS39406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI6954ADQ-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI6954ADQ-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Виробник: VISHAY
07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.