SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-TSSOP.
Інші пропозиції SI6954ADQ-T1-GE3 за ціною від 22.43 грн до 60.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6954ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI6954ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI6954ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-TSSOP |
на замовлення 5043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI6954ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8 |
на замовлення 101196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI6954ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI6954ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |