SI6954ADQ-T1-GE3

SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix


71130.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.91 грн
6000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 830mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI6954ADQ-T1-GE3 за ціною від 23.99 грн до 103.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI6954ADQ-T1-GE3 SI6954ADQ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 71130.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
на замовлення 99688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.36 грн
10+60.30 грн
100+34.77 грн
500+27.19 грн
3000+26.70 грн
6000+24.55 грн
24000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI6954ADQ-T1-GE3 SI6954ADQ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 71130.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.27 грн
10+62.91 грн
100+41.66 грн
500+30.56 грн
1000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.