SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 27.53 грн |
| 6000+ | 24.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 830mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI6954ADQ-T1-GE3 за ціною від 28.45 грн до 105.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 830mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 9919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8 |
на замовлення 99688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI6954ADQ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 38.70 грн |
| 25+ | 38.08 грн |
| 100+ | 36.14 грн |
| 250+ | 32.92 грн |
| 500+ | 31.09 грн |
| 1000+ | 30.57 грн |
| SI6954ADQ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 365+ | 38.70 грн |
| 371+ | 38.08 грн |
| 377+ | 37.48 грн |
| 383+ | 35.55 грн |
| 500+ | 32.38 грн |
| 1000+ | 30.57 грн |
| SI6954ADQ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 105.66 грн |
| 10+ | 64.36 грн |
| 100+ | 42.63 грн |
| 500+ | 31.26 грн |
| 1000+ | 28.45 грн |
| SI6954ADQ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
на замовлення 99688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)