Продукція > VISHAY > SI6963BDQ-T1-E3

SI6963BDQ-T1-E3 VISHAY

Виробник: VISHAY
09+

на замовлення 2502 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис SI6963BDQ-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP.

Інші пропозиції SI6963BDQ-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI6963BDQ-T1-E3	Виробник : VISHAY	06+NOP	на замовлення 2484 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI6963BDQ-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 8-Pin TSSOP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI6963BDQ-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI6963BDQ-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.