SI6968BEDQ-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 138283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.37 грн |
| 10+ | 58.35 грн |
| 100+ | 34.65 грн |
| 500+ | 31.11 грн |
| 6000+ | 30.51 грн |
| 9000+ | 29.91 грн |
| 24000+ | 29.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI6968BEDQ-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI6968BEDQ-T1-E3 за ціною від 35.3 грн до 88.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07+ SOP16 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 11949 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
MSOP8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.5W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.5W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |