Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI6968BEDQ-T1-GE3
SI6968BEDQ-T1-GE3

SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si6968be.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs TSSOP-8
на замовлення 201 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.86 грн
10+66.56 грн
100+38.29 грн
500+31.46 грн
1000+27.25 грн
3000+24.92 грн
6000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI6968BEDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.165 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SI6968BEDQ-T1-GE3 за ціною від 27.01 грн до 47.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI6968BEDQ-T1-GE3 SI6968BEDQ-T1-GE3 VISHAY si6968be.pdf Description: VISHAY - SI6968BEDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 SI6968BEDQ-T1-GE3 VISHAY si6968be.pdf Description: VISHAY - SI6968BEDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay si6968be.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.39 грн
18+43.96 грн
25+43.52 грн
100+41.54 грн
250+33.64 грн
500+31.96 грн
1000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 si6968be.pdf
SI6968BEDQ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI6968BEDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 si6968be.pdf
SI6968BEDQ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI6968BEDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 si6968be.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+47.39 грн
18+43.96 грн
25+43.52 грн
100+41.54 грн
250+33.64 грн
500+31.96 грн
1000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.