SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 35.50 грн |
| 6000+ | 31.87 грн |
| 9000+ | 30.69 грн |
| 15000+ | 27.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm.
Інші пропозиції SI7101DN-T1-GE3 за ціною від 33.69 грн до 134.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7101DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm |
на замовлення 3474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7101DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V |
на замовлення 50585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7101DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 104641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI7101DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
Description: VISHAY - SI7101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 115.12 грн |
| 50+ | 85.52 грн |
| 100+ | 57.81 грн |
| 500+ | 42.45 грн |
| 1500+ | 35.81 грн |
| SI7101DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 50585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.04 грн |
| 10+ | 79.87 грн |
| 100+ | 53.66 грн |
| 500+ | 39.79 грн |
| 1000+ | 36.40 грн |
| SI7101DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 104641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.86 грн |
| 10+ | 85.11 грн |
| 100+ | 49.55 грн |
| 500+ | 39.19 грн |
| 1000+ | 35.81 грн |
| 3000+ | 33.69 грн |