Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7106DN-T1-E3
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7106dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+61.05 грн
6000+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI7106DN-T1-E3 за ціною від 63.50 грн до 206.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7106DN-T1-E3 SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7106dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 25818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.47 грн
10+128.33 грн
100+88.35 грн
500+66.87 грн
1000+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 SI7106DN-T1-E3 Vishay Semiconductors si7106dn.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 si7106dn.pdf
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 si7106dn.pdf
SI7106DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 25818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.47 грн
10+128.33 грн
100+88.35 грн
500+66.87 грн
1000+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 si7106dn.pdf
SI7106DN-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 si7106dn.pdf
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.