SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.66 грн |
| 10+ | 103.48 грн |
| 100+ | 80.70 грн |
| 500+ | 62.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 19.5A, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 3.8W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 9.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 27nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SI7106DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7106DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 23106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7106DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)