SI7106DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 24067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.77 грн |
| 10+ | 88.07 грн |
| 100+ | 59.33 грн |
| 500+ | 56.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7106DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 19.5A, On-state resistance: 9.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 27nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 60A, Case: PowerPAK® 1212-8, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7106DN-T1-GE3 за ціною від 57.62 грн до 110.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7106DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8 |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI7106DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 19.5A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
SI7106DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
|||||||||||
| SI7106DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 19.5A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 |
товар відсутній |