SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.15 грн |
| 10+ | 104.76 грн |
| 100+ | 81.70 грн |
| 500+ | 63.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 19.5A, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 3.8W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 9.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 27nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SI7106DN-T1-GE3 за ціною від 67.12 грн до 233.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7106DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 23081 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SI7106DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23081 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 233.86 грн |
| 10+ | 113.96 грн |
| 100+ | 90.09 грн |
| 500+ | 72.30 грн |
| 1000+ | 69.74 грн |
| 3000+ | 68.47 грн |
| 6000+ | 67.12 грн |