SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 64.78 грн |
| 6000+ | 60.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 3.8W, Gate charge: 30nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 22A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 6.1mΩ, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7108DN-T1-E3 за ціною від 62.88 грн до 166.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7108DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8 |
на замовлення 17800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7108DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 22A 0.0049Ohm |
на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7108DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07PB |
на замовлення 324 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7108DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 1792 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7108DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.8W Gate charge: 30nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 22A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 6.1mΩ кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI7108DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.8W Gate charge: 30nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 22A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 6.1mΩ |
товар відсутній |