на замовлення 5594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.06 грн |
| 10+ | 119.47 грн |
| 100+ | 83.24 грн |
| 250+ | 75.92 грн |
| 500+ | 69.26 грн |
| 1000+ | 59.27 грн |
| 3000+ | 55.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7110DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 21.1A, On-state resistance: 7.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 21nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 60A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7110DN-T1-GE3 за ціною від 68.19 грн до 153.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7110DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7110DN-T1-GE3 |
|
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI7110DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 21.1A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SI7110DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI7110DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 21.1A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A |
товар відсутній |