SI7112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 56.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI7112DN-T1-GE3 за ціною від 56.33 грн до 190.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7112DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V |
на замовлення 4974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7112DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) |
на замовлення 10268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|