Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7112DN-T1-GE3
SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7112dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+57.98 грн
6000+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7112DN-T1-GE3 за ціною від 56.28 грн до 133.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7112DN-T1-GE3 SI7112DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7112dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 14391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.23 грн
10+109.55 грн
100+88.08 грн
500+67.92 грн
1000+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-GE3 SI7112DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7112dn.pdf MOSFETs 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.57 грн
10+109.72 грн
100+76.33 грн
500+64.29 грн
1000+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.