Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7113ADN-T1-GE3
SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7113adn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.07 грн
6000+14.24 грн
9000+13.61 грн
15000+12.11 грн
21000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7113ADN-T1-GE3 за ціною від 12.50 грн до 151.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7113adn.pdf MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.78 грн
10+39.67 грн
100+22.55 грн
500+17.39 грн
1000+15.64 грн
3000+12.71 грн
6000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7113adn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 23623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.99 грн
10+39.71 грн
100+25.85 грн
500+18.64 грн
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Siliconix si7113adn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7113adn
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.