Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI7113ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 7616335-3
Price: 46020 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.34 грн
6000+	13.93 грн
9000+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.132 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7113ADN-T1-GE3 за ціною від 13.13 грн до 138.77 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	17.66 грн
6000+	17.06 грн
9000+	16.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	19.01 грн
6000+	18.36 грн
9000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.11 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 46959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	30.53 грн
500+	21.71 грн
1000+	14.43 грн
5000+	13.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
285+	42.67 грн
402+	30.25 грн
515+	23.61 грн
1000+	18.02 грн
3000+	15.01 грн
6000+	13.92 грн
9000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 285

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	53.73 грн
16+	45.72 грн
100+	32.41 грн
500+	24.40 грн
1000+	17.88 грн
3000+	15.44 грн
6000+	14.91 грн
9000+	14.07 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V

на замовлення 13080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	57.39 грн
10+	38.93 грн
100+	25.29 грн
500+	18.23 грн
1000+	16.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0023700491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.132 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 19940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	58.42 грн
19+	44.98 грн
100+	30.95 грн
500+	22.03 грн
1000+	17.56 грн
5000+	14.36 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 10093 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	61.64 грн
10+	43.06 грн
100+	24.48 грн
500+	18.87 грн
1000+	16.98 грн
3000+	13.64 грн
6000+	13.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : Siliconix

Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7113adn
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	138.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -10.8A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7113ADN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.