Продукція > VISHAY > SI7113ADN-T1-GE3
SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3 Vishay

si7113adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7113ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.11 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7113ADN-T1-GE3 за ціною від 11.99 грн до 140.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7113adn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.64 грн
6000+16.07 грн
9000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7113adn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.83 грн
6000+17.23 грн
9000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 4078801.pdf Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.11 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 46959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.82 грн
500+21.92 грн
1000+14.57 грн
5000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7113adn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
285+43.08 грн
402+30.54 грн
515+23.84 грн
1000+18.20 грн
3000+15.16 грн
6000+14.05 грн
9000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7113adn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+47.02 грн
16+40.00 грн
100+28.36 грн
500+21.35 грн
1000+15.65 грн
3000+13.51 грн
6000+13.05 грн
9000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 4078801.pdf Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.11 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.80 грн
23+38.03 грн
100+26.10 грн
500+18.65 грн
1000+15.09 грн
5000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7113adn.pdf MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.88 грн
10+46.65 грн
100+27.32 грн
500+21.05 грн
1000+18.29 грн
3000+14.46 грн
9000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7113adn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.26 грн
10+42.17 грн
100+27.63 грн
500+19.92 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7113adn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Siliconix si7113adn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7113adn
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7113adn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7113adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -10.8A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7113adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -10.8A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.