SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.41 грн |
| 6000+ | 14.00 грн |
| 9000+ | 12.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.132 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7113ADN-T1-GE3 за ціною від 13.26 грн до 141.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.11 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 46959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V |
на замовлення 13080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.132 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 19940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7113adn кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -10.8A; 17.8W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -10.8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 17.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 132mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |