Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7113DN-T1-E3
SI7113DN-T1-E3

SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7113dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+89.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8.

Інші пропозиції SI7113DN-T1-E3 за ціною від 81.76 грн до 273.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Vishay Semiconductors si7113dn.pdf MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 94769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.47 грн
10+170.22 грн
100+105.72 грн
250+101.49 грн
500+90.22 грн
1000+83.87 грн
3000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7113dn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 10036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.56 грн
10+172.03 грн
100+120.22 грн
500+92.02 грн
1000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 VISHAY si7113dn.pdf 09+ SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 94769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+238.47 грн
10+170.22 грн
100+105.72 грн
250+101.49 грн
500+90.22 грн
1000+83.87 грн
3000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 10036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+273.56 грн
10+172.03 грн
100+120.22 грн
500+92.02 грн
1000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 si7113dn.pdf
Виробник: VISHAY
09+ SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.