Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7113DN-T1-E3
SI7113DN-T1-E3

SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7113dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+94.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7113DN-T1-E3 за ціною від 90.05 грн до 289.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Виробник : Vishay si7113dn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7113dn.pdf MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 94769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.66 грн
10+187.48 грн
100+116.45 грн
250+111.79 грн
500+99.37 грн
1000+92.38 грн
3000+90.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7113dn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 10036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.72 грн
10+182.19 грн
100+127.32 грн
500+97.46 грн
1000+90.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Виробник : Vishay si7113dn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7113dn.pdf 09+ SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Виробник : Vishay si7113dn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.