на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7114ADN-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI7114ADN-T1-GE3 за ціною від 25.84 грн до 73.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7114ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7114ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V |
на замовлення 24903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7114ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 26734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7114ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 60A; 39W Mounting: SMD Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 32nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI7114ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 60A; 39W Mounting: SMD Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 32nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |