Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7114ADN-T1-GE3
SI7114ADN-T1-GE3

SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7114ad.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7114ADN-T1-GE3 за ціною від 22.29 грн до 111.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0016250075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7114ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 24903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.37 грн
10+63.39 грн
100+48.58 грн
500+36.03 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7114ad.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 11085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.92 грн
10+62.52 грн
100+36.01 грн
500+28.06 грн
1000+25.53 грн
3000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0016250075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.58 грн
12+70.31 грн
100+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 VISH-S-A0016250075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7114ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 si7114ad.pdf
SI7114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 24903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.37 грн
10+63.39 грн
100+48.58 грн
500+36.03 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 si7114ad.pdf
SI7114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 11085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.92 грн
10+62.52 грн
100+36.01 грн
500+28.06 грн
1000+25.53 грн
3000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 VISH-S-A0016250075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7114ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+111.58 грн
12+70.31 грн
100+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.