Продукція > VISHAY > SI7114ADN-T1-GE3
SI7114ADN-T1-GE3

SI7114ADN-T1-GE3 Vishay

si7114ad.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7114ADN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7114ADN-T1-GE3 за ціною від 23.00 грн до 73.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7114ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7114ad.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 21319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.62 грн
10+61.17 грн
100+36.86 грн
500+30.77 грн
1000+26.20 грн
3000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7114ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 24903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.79 грн
10+62.89 грн
100+48.20 грн
500+35.75 грн
1000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7114ad.pdf SI7114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.