Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7114ADN-T1-GE3

SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI7114ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2622436-3
Price: 85740.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7114ADN-T1-GE3 за ціною від 28.50 грн до 73.51 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7114ADN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	57.82 грн
279+	50.74 грн
291+	48.58 грн
500+	44.30 грн
1000+	38.88 грн
2000+	35.47 грн
3000+	34.65 грн
6000+	33.42 грн
12000+	31.56 грн

Мінімальне замовлення: 245 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V

на замовлення 24903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.51 грн
10+	62.66 грн
100+	48.02 грн
500+	35.62 грн
1000+	28.50 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0016250075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 11085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	36.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	36.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
245+	57.82 грн
279+	50.74 грн
291+	48.58 грн
500+	44.30 грн
1000+	38.88 грн
2000+	35.47 грн
3000+	34.65 грн
6000+	33.42 грн
12000+	31.56 грн

Мінімальне замовлення: 245 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V

на замовлення 24903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	73.51 грн
10+	62.66 грн
100+	48.02 грн
500+	35.62 грн
1000+	28.50 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 11085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7114ADN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.