SI7114DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.09 грн |
| 10+ | 104.39 грн |
| 100+ | 72.62 грн |
| 500+ | 61.10 грн |
| 1000+ | 59.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7114DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI7114DN-T1-E3 за ціною від 54.84 грн до 186.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7114DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI7114DN-T1-E3 | VISHAY |
08+ |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7114DN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.96 грн |
| 10+ | 115.81 грн |
| 100+ | 79.16 грн |
| 500+ | 59.57 грн |
| 1000+ | 54.84 грн |
| SI7114DN-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
08+
08+
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)