SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 61.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI7115DN-T1-E3 за ціною від 57.49 грн до 170.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7115DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 8832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7115DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V |
на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7115DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7115DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -15A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -150V Drain current: -8.9A On-state resistance: 315mΩ кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI7115DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -15A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -150V Drain current: -8.9A On-state resistance: 315mΩ |
товару немає в наявності |