Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7115DN-T1-E3
SI7115DN-T1-E3

SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7115dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+59.87 грн
6000+ 55.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7115DN-T1-E3 за ціною від 53.94 грн до 144.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 9116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.27 грн
10+ 106.2 грн
100+ 84.53 грн
500+ 67.12 грн
1000+ 56.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7115dn.pdf MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 8832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.51 грн
10+ 117.94 грн
100+ 81.91 грн
250+ 75.25 грн
500+ 68.59 грн
1000+ 58.74 грн
3000+ 53.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7115DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7115dn.pdf 09+
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI7115DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товар відсутній