Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7115DN-T1-E3
SI7115DN-T1-E3

SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7115dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7115DN-T1-E3 за ціною від 56.56 грн до 168.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Vishay Semiconductors si7115dn.pdf MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 8832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.53 грн
10+123.66 грн
100+85.89 грн
250+78.91 грн
500+71.92 грн
1000+61.59 грн
3000+56.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.90 грн
10+110.44 грн
100+79.07 грн
500+61.14 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 VISHAY si7115dn.pdf 09+
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 8832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+151.53 грн
10+123.66 грн
100+85.89 грн
250+78.91 грн
500+71.92 грн
1000+61.59 грн
3000+56.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.90 грн
10+110.44 грн
100+79.07 грн
500+61.14 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 si7115dn.pdf
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.