Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7115DN-T1-E3
SI7115DN-T1-E3

SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7115dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7115DN-T1-E3 за ціною від 59.95 грн до 177.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7115dn.pdf MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 8832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.07 грн
10+135.54 грн
100+94.13 грн
250+86.48 грн
500+78.83 грн
1000+67.50 грн
3000+61.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.99 грн
10+116.39 грн
100+83.32 грн
500+64.43 грн
1000+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7115dn.pdf 09+
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.