Продукція > VISHAY > SI7115DN-T1-GE3
SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3 Vishay

si7115dn.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+95.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7115DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.295 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm.

Інші пропозиції SI7115DN-T1-GE3 за ціною від 63.60 грн до 200.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay si7115dn.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.66 грн
132+107.49 грн
148+95.84 грн
200+88.91 грн
500+82.11 грн
1000+73.49 грн
2000+70.36 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 0.295Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.85 грн
10+115.48 грн
100+81.17 грн
250+71.13 грн
500+65.27 грн
1000+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.21 грн
10+124.41 грн
100+85.67 грн
500+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001121102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.295 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7115dn.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+112.66 грн
132+107.49 грн
148+95.84 грн
200+88.91 грн
500+82.11 грн
1000+73.49 грн
2000+70.36 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 0.295Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+192.85 грн
10+115.48 грн
100+81.17 грн
250+71.13 грн
500+65.27 грн
1000+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.21 грн
10+124.41 грн
100+85.67 грн
500+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 VISH-S-A0001121102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7115DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.295 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.