| Фото |
Наименование |
Производитель |
Описание |
В наличии/под заказ |
Цена |
 |
SI7115DN-T1-GE3
код товара: 102378 |
|
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые P-канальные
|
|
|
|
|
SI7115DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8; Package / Case : PowerPAK® 1212-8; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -50°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 52W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 1190pF @ 50V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 42nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 4A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.9A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8
|
под заказ 643 шт 
срок поставки 5-15 дня (дней) |
|
|
|
SI7115DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8; Package / Case : PowerPAK® 1212-8; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -50°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 52W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 1190pF @ 50V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 42nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 4A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.9A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V; FET Feature : Standard
|
под заказ 643 шт
срок поставки 5-15 дня (дней) |
|
 |
SI7115DN-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V 8.9A 52W 295mohm @ 10V
|
под заказ 5724 шт 
срок поставки 14-20 дня (дней) |
| 1+ | 87.92 грн | | 10+ | 72.61 грн | | 100+ | 56.31 грн | | 500+ | 49.39 грн | | 3000+ | 37.98 грн |
|
|
|
SI7115DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8; Package / Case : PowerPAK® 1212-8; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -50°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 52W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 1190pF @ 50V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 42nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 4A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.9A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V
|
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
|
|
|
SI7115DN-T1-GE3 |
'VISHAY' |
'Trans MOSFET P-CH 150V 2.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R'
количество в упаковке: 3000 шт
|
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
|