SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 61.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.245 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI7115DN-T1-GE3 за ціною від 57.63 грн до 171.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A; 33W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -8.9A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.295Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -15A |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.245 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 17012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 8382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A; 33W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -8.9A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.295Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -15A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V |
на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7115DN-T1-GE3 Код товару: 102378
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |