Наименование: SI7115DN-T1-GE3

код товара: 102378
SI7115DN-T1-GE3

DOWNLOAD si7115dn.pdf

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3
код товара: 102378
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые P-канальные
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8; Package / Case : PowerPAK® 1212-8; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -50°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 52W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 1190pF @ 50V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 42nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 4A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.9A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V; FET Feature : Standard под заказ 643 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8; Package / Case : PowerPAK® 1212-8; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -50°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 52W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 1190pF @ 50V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 42nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 4A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.9A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8 под заказ 643 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET 150V 8.9A 52W 295mohm @ 10V под заказ 6578 шт
срок поставки 14-20 дня (дней)
18+ 101 грн
23+ 81 грн
100+ 64.6 грн
500+ 56.91 грн
3000+ 43.73 грн
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8; Package / Case : PowerPAK® 1212-8; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -50°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 52W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 1190pF @ 50V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 42nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 4A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.9A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
SI7115DN-T1-GE3 'VISHAY' 'Trans MOSFET P-CH 150V 2.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R'
количество в упаковке: 3000 шт
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

Техническое описание SI7115DN-T1-GE3

Цена SI7115DN-T1-GE3

от 43.73 грн до 101 грн
Asers Shop ©