SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7115dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.245 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7115DN-T1-GE3 за ціною від 59.95 грн до 185.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7115dn.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7115dn.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
126+97.87 грн
132+93.38 грн
148+83.26 грн
200+77.24 грн
500+71.33 грн
1000+63.84 грн
2000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001121102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.245 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 16972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.98 грн
10+134.79 грн
100+108.17 грн
500+84.50 грн
1000+66.52 грн
5000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7115dn.pdf MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 8382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.07 грн
10+135.54 грн
100+94.13 грн
250+89.54 грн
500+79.59 грн
1000+67.50 грн
3000+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.99 грн
10+116.39 грн
100+83.32 грн
500+64.43 грн
1000+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.44 грн
14+81.32 грн
38+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3
Код товару: 102378
Додати до обраних Обраний товар

si7115dn.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7115dn.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7115dn.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7115dn.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.