Інші пропозиції SI7115DN-T1-GE3 за ціною від 46.07 грн до 209.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.295 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V |
на замовлення 12782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI7115DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |