SI7116BDN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.44 грн |
| 500+ | 36.65 грн |
| 1000+ | 30.94 грн |
| 5000+ | 26.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7116BDN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 62.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 62.5W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.
Інші пропозиції SI7116BDN-T1-GE3 за ціною від 26.57 грн до 128.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7116BDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET |
на замовлення 25204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7116BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 62.5W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm |
на замовлення 11184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI7116BDN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET
на замовлення 25204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.28 грн |
| 10+ | 80.16 грн |
| 100+ | 46.59 грн |
| 500+ | 36.79 грн |
| 1000+ | 33.55 грн |
| 3000+ | 29.32 грн |
| SI7116BDN-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
Description: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 11184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 128.28 грн |
| 11+ | 81.33 грн |
| 100+ | 54.44 грн |
| 500+ | 36.65 грн |
| 1000+ | 30.94 грн |
| 5000+ | 26.57 грн |