SI7116DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 13558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.25 грн |
| 10+ | 140.10 грн |
| 100+ | 96.88 грн |
| 250+ | 93.21 грн |
| 500+ | 82.20 грн |
| 1000+ | 69.65 грн |
| 3000+ | 63.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7116DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI7116DN-T1-E3 за ціною від 65.51 грн до 190.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7116DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7116DN-T1-E3 |
|
на замовлення 326 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI7116DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.4A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 40V Drain current: 16.4A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI7116DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7116DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.4A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 40V Drain current: 16.4A |
товару немає в наявності |