SI7116DN-T1-E3

SI7116DN-T1-E3 Vishay Semiconductors


si7116dn.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V
на замовлення 13558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.57 грн
10+146.10 грн
100+101.02 грн
250+97.20 грн
500+85.72 грн
1000+72.63 грн
3000+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7116DN-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI7116DN-T1-E3 за ціною від 68.31 грн до 198.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7116DN-T1-E3 SI7116DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7116dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.69 грн
10+135.76 грн
100+97.46 грн
500+73.94 грн
1000+68.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3 si7116dn.pdf
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7116dn.pdf SI7116DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3 SI7116DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7116dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.