Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7116DN-T1-GE3
SI7116DN-T1-GE3

SI7116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7116dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta).

Інші пропозиції SI7116DN-T1-GE3 за ціною від 70.29 грн до 230.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7116DN-T1-GE3 SI7116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7116dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 5043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.71 грн
10+144.52 грн
100+100.03 грн
500+76.03 грн
1000+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3 SI7116DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7116dn.pdf MOSFETs 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3 si7116dn.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3 si7116dn.pdf
SI7116DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 5043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.71 грн
10+144.52 грн
100+100.03 грн
500+76.03 грн
1000+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3 si7116dn.pdf
SI7116DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3 si7116dn.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.