Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7117DN-T1-E3
SI7117DN-T1-E3

SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7117dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SI7117DN-T1-E3 за ціною від 34.42 грн до 120.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7117DN-T1-E3 SI7117DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7117dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.50 грн
10+79.58 грн
100+58.05 грн
500+44.45 грн
1000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3 SI7117DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7117dn.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 84250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.73 грн
10+83.39 грн
100+55.56 грн
500+43.96 грн
1000+38.82 грн
3000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7117dn.pdf 09+
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7117dn.pdf SI7117DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.