SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SI7117DN-T1-E3 за ціною від 33.10 грн до 139.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7117DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 5745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7117DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 80277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7117DN-T1-E3 | VISHAY |
09+ |
на замовлення 157 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7117DN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.33 грн |
| 10+ | 75.57 грн |
| 100+ | 50.85 грн |
| 500+ | 37.78 грн |
| 1000+ | 34.84 грн |
| SI7117DN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 80277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.31 грн |
| 10+ | 87.53 грн |
| 100+ | 51.25 грн |
| 500+ | 40.57 грн |
| 1000+ | 37.08 грн |
| 3000+ | 33.10 грн |
| SI7117DN-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
09+
09+
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)