Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7119DN-T1-E3
SI7119DN-T1-E3

SI7119DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7119dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.31 грн
6000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7119DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7119DN-T1-E3 за ціною від 25.76 грн до 77.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7119DN-T1-E3 SI7119DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7119dn.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 6942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.45 грн
10+55.81 грн
100+43.42 грн
500+34.54 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3 SI7119DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7119dn.pdf MOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 38595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.23 грн
10+62.12 грн
100+38.82 грн
500+31.26 грн
1000+28.77 грн
3000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7119dn.pdf SI7119DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.