Продукція > VISHAY SILICONIX > Si7120ADN-T1-GE3
Si7120ADN-T1-GE3

Si7120ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Si7120ADN.PDF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si7120ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7120ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0175 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції Si7120ADN-T1-GE3 за ціною від 43.54 грн до 187.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7120ADN-T1-GE3 SI7120ADN-T1-GE3 Vishay si7120adn.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+123.03 грн
120+121.81 грн
161+91.29 грн
271+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3 SI7120ADN-T1-GE3 Vishay si7120adn.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+124.14 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors Si7120ADN.PDF MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23848 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+130.50 грн
10+104.47 грн
100+69.29 грн
500+56.38 грн
1000+45.19 грн
3000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix Si7120ADN.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.61 грн
10+96.76 грн
100+69.96 грн
500+52.35 грн
1000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3 SI7120ADN-T1-GE3 Vishay si7120adn.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.24 грн
10+123.03 грн
25+121.81 грн
100+88.03 грн
250+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3 SI7120ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001112964-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7120ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0175 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3 si7120adn.pdf
SI7120ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+123.03 грн
120+121.81 грн
161+91.29 грн
271+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3 si7120adn.pdf
SI7120ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
118+124.14 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN.PDF
Si7120ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23848 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.50 грн
10+104.47 грн
100+69.29 грн
500+56.38 грн
1000+45.19 грн
3000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN.PDF
Si7120ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.61 грн
10+96.76 грн
100+69.96 грн
500+52.35 грн
1000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3 si7120adn.pdf
SI7120ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+187.24 грн
10+123.03 грн
25+121.81 грн
100+88.03 грн
250+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3 VISH-S-A0001112964-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7120ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7120ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0175 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.