Si7120ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 48.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si7120ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7120ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0175 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції Si7120ADN-T1-GE3 за ціною від 43.05 грн до 167.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7120ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7120ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7120ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 2877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
Si7120ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 23848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
Si7120ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V |
на замовлення 5981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7120ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7120ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0175 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7120ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| Si7120ADN-T1-GE3 |
|
на замовлення 25500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI7120ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| Si7120ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| Si7120ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |