Продукція > VISHAY > SI7121ADN-T1-GE3
SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3 Vishay

si7121adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7121ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7121ADN-T1-GE3 за ціною від 14.29 грн до 61.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.76 грн
6000+15.06 грн
9000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000785981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.00 грн
500+21.02 грн
1500+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.61 грн
18000+25.22 грн
27000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000785981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+58.95 грн
50+39.27 грн
100+27.00 грн
500+21.02 грн
1500+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 10654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.54 грн
10+39.91 грн
100+27.32 грн
500+20.51 грн
1000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7121adn.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 20818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.05 грн
10+40.09 грн
100+24.00 грн
500+20.11 грн
1000+17.47 грн
3000+14.90 грн
6000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.81 грн
12+34.10 грн
25+27.60 грн
43+21.02 грн
118+19.88 грн
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.37 грн
10+42.49 грн
25+33.12 грн
43+25.23 грн
118+23.85 грн
1000+23.58 грн
3000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3
Код товару: 171550
Додати до обраних Обраний товар

si7121adn.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.