на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 13.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7121ADN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 27.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7121ADN-T1-GE3 за ціною від 12.61 грн до 48.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 27.8W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V |
на замовлення 9943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 17138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 27.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7121ADN-T1-GE3 Код товару: 171550 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A; 17.8W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 17.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A; 17.8W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 17.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |