Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3

si7121adn.pdf
Код товару: 171550
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7121ADN-T1-GE3 за ціною від 13.86 грн до 57.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.28 грн
6000+14.60 грн
9000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.86 грн
18000+29.11 грн
27000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 17.8W
Gate-source voltage: ±25V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.99 грн
12+37.14 грн
100+21.99 грн
500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.73 грн
10+38.69 грн
100+26.49 грн
500+19.89 грн
1000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000785981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000785981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.28 грн
6000+14.60 грн
9000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.86 грн
18000+29.11 грн
27000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 17.8W
Gate-source voltage: ±25V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.99 грн
12+37.14 грн
100+21.99 грн
500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.73 грн
10+38.69 грн
100+26.49 грн
500+19.89 грн
1000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 VISH-S-A0000785981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 VISH-S-A0000785981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.