Інші пропозиції SI7121ADN-T1-GE3 за ціною від 13.53 грн до 58.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -50A Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Gate charge: 50nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 17.8W Gate-source voltage: ±25V |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 20818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V |
на замовлення 10654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI7121ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |