Інші пропозиції SI7121DN-T1-GE3 за ціною від 31.02 грн до 126.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7121DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI7121DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 10238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI7121DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V |
на замовлення 3929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7121DN-T1-GE3 |
|
на замовлення 5816 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |


