Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3

si7121adn.pdf
Код товару: 167442
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7121DN-T1-GE3 за ціною від 34.69 грн до 149.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 10238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.23 грн
10+76.78 грн
100+56.01 грн
500+41.61 грн
1000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors vishay_vish-s-a0003413401-1.pdf MOSFETs 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+149.77 грн
10+70.79 грн
100+55.10 грн
500+43.62 грн
1000+41.44 грн
3000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121dn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121dn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121dn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 10238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.23 грн
10+76.78 грн
100+56.01 грн
500+41.61 грн
1000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 vishay_vish-s-a0003413401-1.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.77 грн
10+70.79 грн
100+55.10 грн
500+43.62 грн
1000+41.44 грн
3000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.