Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3

si7121adn.pdf
Код товару: 167442
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7121DN-T1-GE3 за ціною від 34.27 грн до 111.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+75.84 грн
100+55.32 грн
500+41.10 грн
1000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors vishay_vish-s-a0003413401-1.pdf MOSFETs 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121dn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121dn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121dn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.84 грн
10+75.84 грн
100+55.32 грн
500+41.10 грн
1000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 vishay_vish-s-a0003413401-1.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.