Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7121DN-T1-GE3
SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7121adn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7121DN-T1-GE3 за ціною від 35.10 грн до 113.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors vishay_vish-s-a0003413401-1.pdf MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
на замовлення 9316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.89 грн
10+89.46 грн
100+60.62 грн
500+50.13 грн
1000+39.56 грн
3000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 10238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.53 грн
10+76.98 грн
100+56.16 грн
500+41.72 грн
1000+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3
Код товару: 167442
Додати до обраних Обраний товар

si7121adn.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.