Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > SI7129DN-T1-GE3
SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3

si7129dn.pdf
Код товару: 52238
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7129DN-T1-GE3 за ціною від 22.13 грн до 108.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7129dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.63 грн
6000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7129dn.pdf Description: VISHAY - SI7129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0114 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.07 грн
500+39.39 грн
1500+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7129dn.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.42 грн
10+57.53 грн
100+37.95 грн
500+29.77 грн
1000+26.71 грн
3000+23.73 грн
6000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7129dn.pdf Description: VISHAY - SI7129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0114 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.85 грн
50+71.31 грн
100+54.07 грн
500+39.39 грн
1500+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7129dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.50 грн
10+66.15 грн
100+43.98 грн
500+32.37 грн
1000+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7129dn.pdf 09+ QFN-8
на замовлення 914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7129dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7129dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.