Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > SI7129DN-T1-GE3
SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3

si7129dn.pdf
Код товару: 52238
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7129DN-T1-GE3 за ціною від 22.48 грн до 114.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7129dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.08 грн
6000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7129dn.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.81 грн
10+58.44 грн
100+38.55 грн
500+30.24 грн
1000+27.14 грн
3000+24.11 грн
6000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7129dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.22 грн
10+67.19 грн
100+44.68 грн
500+32.89 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0015358848-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0114 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 52.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.30 грн
50+72.86 грн
100+48.10 грн
500+40.01 грн
1500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 VISHAY si7129dn.pdf 09+ QFN-8
на замовлення 914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 si7129dn.pdf
SI7129DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+29.08 грн
6000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 si7129dn.pdf
SI7129DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.81 грн
10+58.44 грн
100+38.55 грн
500+30.24 грн
1000+27.14 грн
3000+24.11 грн
6000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 si7129dn.pdf
SI7129DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.22 грн
10+67.19 грн
100+44.68 грн
500+32.89 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 VISH-S-A0015358848-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7129DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0114 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 52.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+114.30 грн
50+72.86 грн
100+48.10 грн
500+40.01 грн
1500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 si7129dn.pdf
Виробник: VISHAY
09+ QFN-8
на замовлення 914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.