SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 29.71 грн |
| 6000+ | 27.25 грн |
| 9000+ | 25.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0114 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7129DN-T1-GE3 за ціною від 24.24 грн до 112.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7129DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0114 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 52.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 9842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7129DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V |
на замовлення 10780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7129DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 10965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7129DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0114 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 52.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 9842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7129DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
09+ QFN-8 |
на замовлення 914 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7129DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
QFN-8 09+ |
на замовлення 914 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SI7129DN-T1-GE3 Код товару: 52238
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
SI7129DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI7129DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI7129DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI7129DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -60A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -35A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 52.1W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 71nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI7129DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -60A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -35A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 52.1W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 71nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |