SI7135DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 64.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7135DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 3900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm.
Інші пропозиції SI7135DP-T1-GE3 за ціною від 65.38 грн до 231.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V |
на замовлення 6111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 6996 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7135DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 3900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm |
на замовлення 7379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI7135DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 3900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 9254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7135DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 79.18 грн |
| SI7135DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 79.18 грн |
| SI7135DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 87.70 грн |
| SI7135DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 87.75 грн |
| SI7135DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 125+ | 114.14 грн |
| 126+ | 113.46 грн |
| 141+ | 101.58 грн |
| 250+ | 95.16 грн |
| 500+ | 78.50 грн |
| 1000+ | 68.55 грн |
| SI7135DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 129.22 грн |
| 10+ | 114.14 грн |
| 25+ | 113.46 грн |
| 100+ | 97.96 грн |
| 250+ | 88.11 грн |
| 500+ | 75.36 грн |
| 1000+ | 68.55 грн |
| SI7135DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V
на замовлення 6111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 214.43 грн |
| 10+ | 133.92 грн |
| 50+ | 102.59 грн |
| 100+ | 86.80 грн |
| 500+ | 70.17 грн |
| SI7135DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6996 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 231.22 грн |
| 10+ | 114.38 грн |
| 100+ | 89.22 грн |
| 500+ | 72.33 грн |
| 1000+ | 69.84 грн |
| 3000+ | 65.38 грн |
| SI7135DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 3900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
Description: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 3900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 7379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7135DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 3900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 3900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)