Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI7137DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2622441-3
Price: 208410.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	69.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7137DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1950 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm.

Інші пропозиції SI7137DP-T1-GE3 за ціною від 28.69 грн до 220.07 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7137DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	99.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	99.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	102.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	102.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V

на замовлення 11453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.07 грн
10+	137.90 грн
100+	95.79 грн
500+	76.85 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0001798621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7137DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1950 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

на замовлення 26083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 14031 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Siliconix

Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO SI7137DP-T1-GE3 VISHAY TSI7137dp
кількість в упаковці: 30 шт

на замовлення 90 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	28.69 грн

Мінімальне замовлення: 30 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	99.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	99.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	102.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	102.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V

на замовлення 11453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	220.07 грн
10+	137.90 грн
100+	95.79 грн
500+	76.85 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7137DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1950 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

на замовлення 26083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 14031 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7137DP-T1-GE3

Виробник: Siliconix
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO SI7137DP-T1-GE3 VISHAY TSI7137dp
кількість в упаковці: 30 шт

на замовлення 90 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
30+	28.69 грн

Мінімальне замовлення: 30 шт

В кошику од. на суму грн.