Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7139DP-T1-GE3
SI7139DP-T1-GE3

SI7139DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7139dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+41.76 грн
6000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7139DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7139DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI7139DP-T1-GE3 за ціною від 38.82 грн до 185.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7139dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 15 V
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.26 грн
10+91.91 грн
100+62.18 грн
500+46.44 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7139dp.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.23 грн
10+98.77 грн
100+58.10 грн
500+46.23 грн
1000+42.46 грн
3000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001811248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7139DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.74 грн
10+118.12 грн
100+81.47 грн
500+63.01 грн
1000+54.12 грн
5000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP T1-GE3 Siliconix P-MOSFET 30V 40A 5W SI7139DP-GE3 SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP smd Vishay TSI7139dp
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
8+84.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3 si7139dp.pdf
SI7139DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 15 V
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+149.26 грн
10+91.91 грн
100+62.18 грн
500+46.44 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3 si7139dp.pdf
SI7139DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+157.23 грн
10+98.77 грн
100+58.10 грн
500+46.23 грн
1000+42.46 грн
3000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3 VISH-S-A0001811248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7139DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7139DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+185.74 грн
10+118.12 грн
100+81.47 грн
500+63.01 грн
1000+54.12 грн
5000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP T1-GE3
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 30V 40A 5W SI7139DP-GE3 SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP smd Vishay TSI7139dp
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+84.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.