Продукція > VISHAY > SI7141DP-T1-GE3
SI7141DP-T1-GE3

SI7141DP-T1-GE3 Vishay


si7141dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7141DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7141DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7141DP-T1-GE3 за ціною від 74.87 грн до 266.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7141dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+77.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7141dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7141dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+87.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7141dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+134.07 грн
100+128.07 грн
250+122.93 грн
500+114.26 грн
1000+102.35 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7141dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 10 V
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.60 грн
10+136.24 грн
100+108.36 грн
500+82.32 грн
1000+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7141dp.pdf MOSFETs -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 34097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.12 грн
10+158.47 грн
100+101.16 грн
500+85.23 грн
1000+74.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001240991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7141DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.27 грн
10+173.34 грн
100+122.41 грн
500+95.42 грн
1000+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7141dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7141dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.