SI7143DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI7143DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 69.32 грн |
| 500+ | 51.03 грн |
| 1000+ | 43.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7143DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI7143DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7143DP-T1-GE3 за ціною від 35.56 грн до 155.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7143DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 39673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7143DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7143DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7143DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16.1A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V |
на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7143DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16.1A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |