SI7148DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


73314.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+89.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7148DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7148DP-T1-GE3 за ціною від 91.63 грн до 268.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7148DP-T1-GE3 SI7148DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix 73314.pdf MOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.62 грн
10+127.26 грн
100+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3 SI7148DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73314.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.01 грн
10+169.13 грн
100+118.69 грн
500+99.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3 73314.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+214.62 грн
10+127.26 грн
100+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3 73314.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+268.01 грн
10+169.13 грн
100+118.69 грн
500+99.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.