SI7148DP-T1-GE3

SI7148DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


73314.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7148DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V.

Інші пропозиції SI7148DP-T1-GE3 за ціною від 87.34 грн до 391.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7148DP-T1-GE3 SI7148DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 73314.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.57 грн
10+ 151.15 грн
100+ 122.28 грн
500+ 102 грн
1000+ 87.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7148DP-T1-GE3 SI7148DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix 73314.pdf MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.79 грн
10+ 167.72 грн
25+ 141.84 грн
100+ 118.54 грн
250+ 114.54 грн
500+ 105.22 грн
1000+ 90.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7148DP-T1-GE3 SI7148DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73314.pdf SI7148DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+391.01 грн
47+ 249 грн
58+ 202.31 грн
100+ 181.96 грн
200+ 167.61 грн
500+ 143.4 грн
1000+ 134.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
SI7148DP-T1-GE3 SI7148DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73314.pdf SI7148DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI7148DP-T1-GE3 SI7148DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73314.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SI7148DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 73314.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 28A; Idm: 60A; 61W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 61W
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 28A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7148DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 73314.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 28A; Idm: 60A; 61W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 61W
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 28A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній