Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7149ADP-T1-GE3

SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI7149ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4142132-3
Price: 107760.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	35.92 грн
6000+	32.26 грн
9000+	31.07 грн
15000+	28.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 48W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.

Інші пропозиції SI7149ADP-T1-GE3 за ціною від 28.61 грн до 137.32 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI7149ADP-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0001472793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.14 грн
9000+	36.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7149ADP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

на замовлення 25117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.38 грн
500+	42.22 грн
1500+	33.90 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7149ADP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

на замовлення 25117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.08 грн
50+	70.80 грн
100+	58.38 грн
500+	42.22 грн
1500+	33.90 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7149ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V

на замовлення 59086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.63 грн
10+	80.71 грн
100+	54.22 грн
500+	40.24 грн
1000+	36.81 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7149ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 24916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.32 грн
10+	86.73 грн
100+	50.25 грн
500+	39.75 грн
1000+	36.37 грн
3000+	32.28 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7149ADP-T1-GE3

Siliconix

Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 50A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3; SI7149ADP-T1-GE3; SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	28.61 грн

Мінімальне замовлення: 30 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	39.14 грн
9000+	36.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

на замовлення 25117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	58.38 грн
500+	42.22 грн
1500+	33.90 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

на замовлення 25117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	106.08 грн
50+	70.80 грн
100+	58.38 грн
500+	42.22 грн
1500+	33.90 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V

на замовлення 59086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	131.63 грн
10+	80.71 грн
100+	54.22 грн
500+	40.24 грн
1000+	36.81 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 24916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	137.32 грн
10+	86.73 грн
100+	50.25 грн
500+	39.75 грн
1000+	36.37 грн
3000+	32.28 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник: Siliconix
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 50A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3; SI7149ADP-T1-GE3; SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
30+	28.61 грн

Мінімальне замовлення: 30 шт

В кошику од. на суму грн.