Продукція > VISHAY > SI7149ADP-T1-GE3
SI7149ADP-T1-GE3

SI7149ADP-T1-GE3 Vishay

si7149adp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7149ADP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7149ADP-T1-GE3 за ціною від 24.38 грн до 77.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7149adp.pdf Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.07 грн
9000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
364+34.09 грн
379+32.73 грн
500+31.55 грн
1000+29.42 грн
2500+26.44 грн
5000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7149adp.pdf Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.55 грн
500+32.62 грн
1500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.82 грн
10+50.99 грн
33+29.19 грн
89+27.60 грн
500+27.44 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7149adp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.57 грн
10+55.53 грн
100+36.69 грн
500+26.83 грн
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7149adp.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 88094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.28 грн
10+56.91 грн
100+34.90 грн
500+27.49 грн
1000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.99 грн
10+63.54 грн
33+35.03 грн
89+33.12 грн
500+32.93 грн
1000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7149adp.pdf Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.19 грн
50+66.31 грн
100+44.55 грн
500+32.62 грн
1500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : Siliconix si7149adp.pdf Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 50A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3; SI7149ADP-T1-GE3; SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7149adp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.