на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 19.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7149ADP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI7149ADP-T1-GE3 за ціною від 23.32 грн до 76.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 5578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0052 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 16237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: -50A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 43.1nC On-state resistance: 9.5mΩ Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 31W |
на замовлення 3573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V |
на замовлення 3122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: -50A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 43.1nC On-state resistance: 9.5mΩ Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 31W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3573 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 88094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 14042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 50A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3; SI7149ADP-T1-GE3; SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
SI7149ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |