Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7149DP-T1-GE3
SI7149DP-T1-GE3

SI7149DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7149dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+47.93 грн
6000+43.24 грн
9000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7149DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 69W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.

Інші пропозиції SI7149DP-T1-GE3 за ціною від 44.83 грн до 174.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7149DP-T1-GE3 SI7149DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000185700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.65 грн
500+56.43 грн
1500+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 SI7149DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 22303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.10 грн
10+103.92 грн
100+70.70 грн
500+53.03 грн
1000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 SI7149DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7149dp.pdf MOSFETs 30V 50A 69W 5.2mohm @ 10V
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.33 грн
10+111.05 грн
100+65.48 грн
500+52.16 грн
1000+47.93 грн
3000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 SI7149DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000185700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.33 грн
50+112.65 грн
100+80.67 грн
500+62.23 грн
1500+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 VISH-S-A0000185700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7149DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+75.65 грн
500+56.43 грн
1500+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 si7149dp.pdf
SI7149DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 22303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.10 грн
10+103.92 грн
100+70.70 грн
500+53.03 грн
1000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 si7149dp.pdf
SI7149DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 50A 69W 5.2mohm @ 10V
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+174.33 грн
10+111.05 грн
100+65.48 грн
500+52.16 грн
1000+47.93 грн
3000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 VISH-S-A0000185700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7149DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+174.33 грн
50+112.65 грн
100+80.67 грн
500+62.23 грн
1500+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.