Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7155DP-T1-GE3
SI7155DP-T1-GE3

SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7155dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7155DP-T1-GE3 за ціною від 59.74 грн до 225.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7155dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+78.00 грн
159+76.81 грн
162+75.63 грн
164+71.78 грн
250+65.41 грн
500+61.78 грн
1000+60.76 грн
3000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7155dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+83.57 грн
10+82.30 грн
25+81.03 грн
100+76.91 грн
250+70.08 грн
500+66.19 грн
1000+65.10 грн
3000+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7155dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+93.62 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2606255.pdf Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 41558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.80 грн
500+73.16 грн
1000+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7155dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+100.11 грн
128+95.63 грн
250+91.80 грн
500+85.32 грн
1000+76.43 грн
2500+71.20 грн
5000+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7155dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+100.31 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2606255.pdf Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 41558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.76 грн
10+120.76 грн
100+98.80 грн
500+73.16 грн
1000+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7155dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 15709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.42 грн
10+135.35 грн
100+93.20 грн
500+70.54 грн
1000+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7155dp.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 152040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.71 грн
10+144.57 грн
100+89.58 грн
500+75.20 грн
1000+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7155dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7155dp.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7155dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7155dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7155dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.