Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7155DP-T1-GE3

SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI7155DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 8572024-3
Price: 207870.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	69.29 грн
6000+	64.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI7155DP-T1-GE3 за ціною від 61.18 грн до 249.98 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI7155DP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 25802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	118.41 грн
500+	89.34 грн
1500+	79.65 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7155DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 152040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.33 грн
10+	135.36 грн
100+	83.87 грн
500+	70.41 грн
1000+	61.18 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7155DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V

на замовлення 64528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	228.36 грн
10+	143.01 грн
100+	99.14 грн
500+	75.45 грн
1000+	73.57 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7155DP-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0004023714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 25402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	249.98 грн
50+	162.81 грн
100+	112.65 грн
500+	84.76 грн
1500+	76.12 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7155DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 25802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	118.41 грн
500+	89.34 грн
1500+	79.65 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7155DP-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 152040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	211.33 грн
10+	135.36 грн
100+	83.87 грн
500+	70.41 грн
1000+	61.18 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7155DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V

на замовлення 64528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	228.36 грн
10+	143.01 грн
100+	99.14 грн
500+	75.45 грн
1000+	73.57 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7155DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 25402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	249.98 грн
50+	162.81 грн
100+	112.65 грн
500+	84.76 грн
1500+	76.12 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.