Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3

si7157dp.pdf
Код товару: 148717
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7157DP-T1-GE3 за ціною від 43.82 грн до 173.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7157dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.79 грн
9000+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+87.73 грн
182+77.94 грн
191+74.03 грн
250+70.23 грн
500+57.27 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.23 грн
10+87.73 грн
25+77.94 грн
100+71.39 грн
250+65.02 грн
500+54.98 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7157dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 34742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.26 грн
10+107.27 грн
50+81.49 грн
100+68.67 грн
500+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7157dp.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+49.79 грн
9000+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+87.73 грн
182+77.94 грн
191+74.03 грн
250+70.23 грн
500+57.27 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+102.23 грн
10+87.73 грн
25+77.94 грн
100+71.39 грн
250+65.02 грн
500+54.98 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 34742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.26 грн
10+107.27 грн
50+81.49 грн
100+68.67 грн
500+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.