Продукція > VISHAY > SI7157DP-T1-GE3
SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3 Vishay


si7157dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7157DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7157DP-T1-GE3 за ціною від 37.91 грн до 154.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7157dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.28 грн
6000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.27 грн
6000+45.15 грн
9000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.64 грн
6000+48.37 грн
9000+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7157dp.pdf Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.35 грн
500+55.80 грн
1000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
903+77.61 грн
Мінімальне замовлення: 903
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+88.90 грн
139+88.03 грн
183+66.58 грн
250+63.56 грн
500+49.35 грн
1000+43.60 грн
3000+42.61 грн
6000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7157dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.36 грн
10+87.14 грн
100+61.47 грн
500+45.91 грн
1000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+129.11 грн
10+95.25 грн
25+94.32 грн
100+68.79 грн
250+63.05 грн
500+50.76 грн
1000+46.71 грн
3000+45.66 грн
6000+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7157dp.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.95 грн
10+100.49 грн
100+59.04 грн
500+47.03 грн
1000+43.69 грн
3000+38.14 грн
6000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7157dp.pdf Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.28 грн
10+112.51 грн
100+75.35 грн
500+55.80 грн
1000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7157dp.pdf Транзистор польовий, MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3
Код товару: 148717
Додати до обраних Обраний товар

si7157dp.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7157dp.pdf SI7157DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.