SI7157DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 45.62 грн |
| 6000+ | 42.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7157DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7157DP-T1-GE3 за ціною від 34.23 грн до 158.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7157DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI7157DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI7157DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI7157DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI7157DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 8767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI7157DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 20569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI7157DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 8767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI7157DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI7157DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V |
на замовлення 11526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| SI7157DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Транзистор польовий, MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
SI7157DP-T1-GE3 Код товару: 148717
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|