Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3

si7157dp.pdf
Код товару: 148717
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7157DP-T1-GE3 за ціною від 43.65 грн до 172.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7157dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 25820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.59 грн
6000+44.77 грн
9000+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.56 грн
6000+52.11 грн
9000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.56 грн
6000+52.11 грн
9000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
903+89.58 грн
Мінімальне замовлення: 903 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+102.61 грн
139+101.61 грн
183+76.85 грн
250+73.36 грн
500+56.96 грн
1000+50.32 грн
3000+49.19 грн
6000+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.09 грн
10+102.61 грн
25+101.61 грн
100+74.10 грн
250+67.93 грн
500+54.68 грн
1000+50.32 грн
3000+49.19 грн
6000+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7157dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 25820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.42 грн
10+106.88 грн
100+72.88 грн
500+54.77 грн
1000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7157dp.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 25820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+49.59 грн
6000+44.77 грн
9000+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+54.56 грн
6000+52.11 грн
9000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+54.56 грн
6000+52.11 грн
9000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
903+89.58 грн
Мінімальне замовлення: 903 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+102.61 грн
139+101.61 грн
183+76.85 грн
250+73.36 грн
500+56.96 грн
1000+50.32 грн
3000+49.19 грн
6000+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+139.09 грн
10+102.61 грн
25+101.61 грн
100+74.10 грн
250+67.93 грн
500+54.68 грн
1000+50.32 грн
3000+49.19 грн
6000+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 25820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.42 грн
10+106.88 грн
100+72.88 грн
500+54.77 грн
1000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.