Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI7164DP-T1-GE3

SI7164DP-T1-GE3

si7164dp.pdf
Код товару: 164214
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7164DP-T1-GE3 за ціною від 91.47 грн до 298.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7164DP-T1-GE3 SI7164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7164dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.80 грн
10+185.64 грн
100+130.32 грн
500+100.12 грн
1000+93.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 SI7164DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7164dp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.16 грн
10+194.33 грн
100+118.71 грн
500+97.76 грн
1000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 si7164dp.pdf
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 si7164dp.pdf
SI7164DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+293.80 грн
10+185.64 грн
100+130.32 грн
500+100.12 грн
1000+93.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 si7164dp.pdf
SI7164DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+298.16 грн
10+194.33 грн
100+118.71 грн
500+97.76 грн
1000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 si7164dp.pdf
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.