SI7172ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 33.51 грн |
| 6000+ | 30.07 грн |
| 9000+ | 28.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7172ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7172ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17.2 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.
Інші пропозиції SI7172ADP-T1-RE3 за ціною від 34.38 грн до 123.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7172ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V |
на замовлення 14212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI7172ADP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7172ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17.2 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 10310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI7172ADP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 13823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI7172ADP-T1-RE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI7172ADP-T1-RE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
на замовлення 14212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.57 грн |
| 10+ | 75.69 грн |
| 100+ | 50.77 грн |
| 500+ | 37.61 грн |
| 1000+ | 34.38 грн |
| SI7172ADP-T1-RE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7172ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17.2 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: VISHAY - SI7172ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17.2 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 10310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7172ADP-T1-RE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 13823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7172ADP-T1-RE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 112.17 грн |
| 10+ | 94.70 грн |
| 25+ | 93.01 грн |
| 100+ | 70.56 грн |