Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7172DP-T1-GE3
SI7172DP-T1-GE3

SI7172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7172dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SI7172DP-T1-GE3 за ціною від 80.73 грн до 201.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7172DP-T1-GE3 SI7172DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7172dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.47 грн
10+158.94 грн
100+126.52 грн
500+100.47 грн
1000+85.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 SI7172DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7172dp.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.21 грн
10+139.26 грн
100+96.88 грн
500+82.93 грн
1000+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7172dp.pdf SI7172DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.