SI7172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7172dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+88.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7172DP-T1-GE3 за ціною від 79.60 грн до 264.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7172DP-T1-GE3 SI7172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7172dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.39 грн
10+157.27 грн
100+125.19 грн
500+99.41 грн
1000+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 SI7172DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7172dp.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.76 грн
10+170.24 грн
100+108.23 грн
500+90.78 грн
1000+83.79 грн
3000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 si7172dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+196.39 грн
10+157.27 грн
100+125.19 грн
500+99.41 грн
1000+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 si7172dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+264.76 грн
10+170.24 грн
100+108.23 грн
500+90.78 грн
1000+83.79 грн
3000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.