Продукція > VISHAY > SI7174DP-T1-GE3
SI7174DP-T1-GE3

SI7174DP-T1-GE3 Vishay


si7174dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7174DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7174DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 60 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm.

Інші пропозиції SI7174DP-T1-GE3 за ціною від 96.91 грн до 329.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7174dp.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7174dp.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+104.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7174dp.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7174dp.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+107.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7174dp.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+115.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7174DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 60 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+276.47 грн
10+191.47 грн
100+148.55 грн
500+114.18 грн
1000+96.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7174dp.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.34 грн
10+199.32 грн
100+140.45 грн
500+108.21 грн
1000+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7174dp.pdf MOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.59 грн
10+217.43 грн
100+134.63 грн
500+111.09 грн
1000+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7174dp.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7174dp.pdf SI7174DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.