Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7174DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7174DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 6.25W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.
Інші пропозиції SI7174DP-T1-GE3 за ціною від 121.39 грн до 133.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7174DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
SI7174DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
SI7174DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
SI7174DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7174DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 6.25W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7174DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 121.39 грн |
| SI7174DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 133.31 грн |
| SI7174DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 133.31 грн |
| SI7174DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7174DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: VISHAY - SI7174DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




