SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 57.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI7190ADP-T1-RE3 за ціною від 55.34 грн до 164.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7190ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7190ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 21744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7190ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7190ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V |
на замовлення 4528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7190ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 4.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI7190ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 250V Drain current: 14.4A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 56.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 22.4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 6000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI7190ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 250V Drain current: 14.4A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 56.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 22.4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
товару немає в наявності |