SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 210.21 грн |
| 10+ | 129.50 грн |
| 100+ | 66.52 грн |
| 500+ | 57.36 грн |
| 1000+ | 56.91 грн |
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Технічний опис SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 56.8W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm.
Інші пропозиції SI7190ADP-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SI7190ADP-T1-RE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 56.8W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm |
на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI7190ADP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 56.8W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm |
на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7190ADP-T1-RE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
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на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7190ADP-T1-RE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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на замовлення 5795 шт:
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