SI7190DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 8896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.18 грн |
| 10+ | 126.36 грн |
| 100+ | 87.9 грн |
| 500+ | 73.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7190DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 18.4A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 96W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 124mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 72nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7190DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7190DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 18.4A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 96W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 124mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
SI7190DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
|
|
SI7190DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
| SI7190DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 18.4A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 96W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 124mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |