Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7190DP-T1-GE3
SI7190DP-T1-GE3

SI7190DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7190dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2214 pF @ 125 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7190DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2214 pF @ 125 V.

Інші пропозиції SI7190DP-T1-GE3 за ціною від 62.76 грн до 162.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7190DP-T1-GE3 SI7190DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7190dp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2214 pF @ 125 V
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.13 грн
10+119.17 грн
100+94.88 грн
500+75.34 грн
1000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3 SI7190DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7190dp.pdf MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.61 грн
10+134.01 грн
100+92.16 грн
250+85.30 грн
500+76.93 грн
1000+66.19 грн
3000+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3 SI7190DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7190dp.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 18.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3 SI7190DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7190dp.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 18.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7190dp.pdf SI7190DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.