SI7212DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 76.06 грн |
| 6000+ | 70.49 грн |
| 9000+ | 68.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7212DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.
Інші пропозиції SI7212DN-T1-E3 за ціною від 68.59 грн до 168.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7212DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 16992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7212DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 14321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7212DN-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 2602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI7212DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7212DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 3015 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7212DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.6W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI7212DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.6W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |