Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7212DN-T1-GE3
SI7212DN-T1-GE3

SI7212DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7212dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+43.13 грн
6000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7212DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.

Інші пропозиції SI7212DN-T1-GE3 за ціною від 43.99 грн до 180.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7212dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 24564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.97 грн
10+94.71 грн
100+64.17 грн
500+47.94 грн
1000+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7212dn.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.85 грн
10+114.03 грн
100+69.06 грн
500+55.51 грн
1000+51.11 грн
3000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
SI7212DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 24564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.97 грн
10+94.71 грн
100+64.17 грн
500+47.94 грн
1000+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
SI7212DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.85 грн
10+114.03 грн
100+69.06 грн
500+55.51 грн
1000+51.11 грн
3000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.