Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7212DN-T1-GE3
SI7212DN-T1-GE3

SI7212DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7212dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.69 грн
6000+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7212DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.

Інші пропозиції SI7212DN-T1-GE3 за ціною від 44.56 грн до 155.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7212dn.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.17 грн
10+87.99 грн
100+57.90 грн
250+56.94 грн
500+49.73 грн
1000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7212dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 24564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.98 грн
10+95.95 грн
100+65.01 грн
500+48.56 грн
1000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.