SI7216DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 41.80 грн |
| 6000+ | 38.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7216DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 20.8W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI7216DN-T1-E3 за ціною від 41.65 грн до 153.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7216DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI7216DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI7216DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 11219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI7216DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 1267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI7216DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7216DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 6A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 20.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |

