на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 40.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7216DN-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 20.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.
Інші пропозиції SI7216DN-T1-E3 за ціною від 39.88 грн до 151.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7216DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7216DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 6456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7216DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 12702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7216DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |