Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7216DN-T1-E3
SI7216DN-T1-E3

SI7216DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7216dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.00 грн
6000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7216DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 20.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.

Інші пропозиції SI7216DN-T1-E3 за ціною від 41.86 грн до 154.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3 Виробник : Vishay si7216dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3 Виробник : Vishay si7216dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7216dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.59 грн
10+91.60 грн
100+62.22 грн
500+46.58 грн
1000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7216dn.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.09 грн
10+98.04 грн
100+57.65 грн
500+45.98 грн
1000+44.17 грн
3000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3 Виробник : Vishay si7216dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7216dn.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.