SI7220DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 73.94 грн |
6000+ | 68.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7220DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.
Інші пропозиції SI7220DN-T1-E3 за ціною від 70.34 грн до 174.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI7220DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 8785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7220DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 13362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7220DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
SI7220DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY | 09+ |
на замовлення 5303 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SI7220DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY | SI7220DN-T1-E3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |