SI7220DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 13362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.79 грн |
| 10+ | 156.98 грн |
| 100+ | 108.62 грн |
| 500+ | 92.47 грн |
| 1000+ | 81.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7220DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.
Інші пропозиції SI7220DN-T1-E3 за ціною від 91.32 грн до 288.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7220DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 2142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7220DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 1875 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7220DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 5303 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7220DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.6W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI7220DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7220DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.6W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |