SI7220DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.48 грн |
| 10+ | 149.36 грн |
| 100+ | 103.34 грн |
| 500+ | 87.98 грн |
| 1000+ | 77.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7220DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 1.3W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI7220DN-T1-E3 за ціною від 90.36 грн до 285.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7220DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI7220DN-T1-E3 | VISHAY |
09+ |
на замовлення 5303 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7220DN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.16 грн |
| 10+ | 180.27 грн |
| 100+ | 126.56 грн |
| 500+ | 97.27 грн |
| 1000+ | 90.36 грн |
| SI7220DN-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
09+
09+
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)