Технічний опис SI7220DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI7220DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SI7220DN-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI7220DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7220DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7220DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
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usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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SVHC: To Be Advised
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)