Продукція > VISHAY > SI7232DN-T1-GE3
SI7232DN-T1-GE3

SI7232DN-T1-GE3 Vishay

si7232dn.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7232DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SI7232DN-T1-GE3 за ціною від 22.43 грн до 118.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.88 грн
207+69.12 грн
299+47.83 грн
302+45.67 грн
500+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.89 грн
11+69.88 грн
25+69.12 грн
100+46.12 грн
250+42.29 грн
500+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.96 грн
167+85.62 грн
240+59.69 грн
253+54.47 грн
500+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7232dn.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 38997 шт:
термін постачання 601-610 дні (днів)
3+118.00 грн
10+55.80 грн
100+36.28 грн
500+29.61 грн
1000+28.29 грн
3000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
205+69.88 грн
207+69.12 грн
299+47.83 грн
302+45.67 грн
500+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.89 грн
11+69.88 грн
25+69.12 грн
100+46.12 грн
250+42.29 грн
500+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
142+100.96 грн
167+85.62 грн
240+59.69 грн
253+54.47 грн
500+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 38997 шт:
термін постачання 601-610 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.00 грн
10+55.80 грн
100+36.28 грн
500+29.61 грн
1000+28.29 грн
3000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.