SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7232dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+24.24 грн
6000+22.11 грн
9000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 23W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.

Інші пропозиції SI7232DN-T1-GE3 за ціною від 21.07 грн до 88.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7232dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.43 грн
10+53.22 грн
100+36.86 грн
500+28.90 грн
1000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7232dn.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 7569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.81 грн
10+56.74 грн
100+32.49 грн
500+25.37 грн
1000+23.12 грн
3000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+63.43 грн
10+53.22 грн
100+36.86 грн
500+28.90 грн
1000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 7569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.81 грн
10+56.74 грн
100+32.49 грн
500+25.37 грн
1000+23.12 грн
3000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.