SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.59 грн |
| 6000+ | 21.52 грн |
| 9000+ | 19.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7232DN-T1-GE3 за ціною від 20.51 грн до 100.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7232DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7232DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7232DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7232DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7232DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 23W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 11880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7232DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7232DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7232DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7232DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 11100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|