Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7252ADP-T1-GE3
SI7252ADP-T1-GE3

SI7252ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7252adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7252ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SI7252ADP-T1-GE3 за ціною від 54.80 грн до 76.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Vishay si7252adp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Vishay si7252adp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.60 грн
11+69.87 грн
25+69.66 грн
50+66.50 грн
100+57.85 грн
250+55.35 грн
500+55.17 грн
1000+54.99 грн
3000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix si7252adp.pdf MOSFETs PWRPK 100V 28.7A
на замовлення 33681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY si7252adp.pdf Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY 3183559.pdf Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 si7252adp.pdf
SI7252ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 si7252adp.pdf
SI7252ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+76.60 грн
11+69.87 грн
25+69.66 грн
50+66.50 грн
100+57.85 грн
250+55.35 грн
500+55.17 грн
1000+54.99 грн
3000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 si7252adp.pdf
SI7252ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PWRPK 100V 28.7A
на замовлення 33681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 si7252adp.pdf
SI7252ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 3183559.pdf
SI7252ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.