SI7252ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 50.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7252ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI7252ADP-T1-GE3 за ціною від 45.86 грн до 192.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7252ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 5955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI7252ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI7252ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 5955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI7252ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI7252ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs PWRPK 100V 28.7A |
на замовлення 50725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI7252ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| SI7252ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay BC |
Mosfet Array 100V 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
|
SI7252ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товару немає в наявності |